现今压力传感器技术正在飞速的发展当中，很多的领域当中都在应用压力传感器例如医疗、工业、电力、航空航天等多个行业 。压力传感器在发张当中的四个代表性阶段大家都知道是什么吗，今天小编就来为大家介绍一下压力传感器发展的四大阶段吧。
(1) 发明阶段(1945 - 1960 年) ：这个阶段主要是以1947 年双极性晶体管的发明为标志。此后，半导体材料的这一特性得到较广泛应用。***(C.S. Smith) 与1945 发现了硅与锗的压阻效应[2 ] ，即当有外力作用于半导体材料时，其电阻将明显发生变化。依据此原理制成的压力传感器是把应变电阻片粘在金属薄膜上，即将力信号转化为电信号进行测量。此阶段*小尺寸大约为1cm。
(2) 技术发展阶段(1960 - 1970 年) ：随着硅扩散技术的发展，技术人员在硅的(001) 或(110) 晶面选择合适的晶向直接把应变电阻扩散在晶面上，然后在背面加工成凹形，形成较薄的硅弹性膜片，称为硅杯[3 ] 。这种形式的硅杯传感器具有体积小、重量轻、灵敏度高、稳定性好、成本低、便于集成化的优点，实现了金属- 硅共晶体，为商业化发展提供了可能。
(3) 商业化集成加工阶段(1970 - 1980 年) ：在硅杯扩散理论的基础上应用了硅的各向异性的腐蚀技术，扩散硅传感器其加工工艺以硅的各项异性腐蚀技术为主，发展成为可以自动控制硅膜厚度的硅各向异性加工技术[4 ] ，主要有V 形槽法、浓硼自动中止法、阳极氧化法自动中止法和微机控制自动中止法。由于可以在多个表面同时进行腐蚀，数千个硅压力膜可以同时生产，实现了集成化的工厂加工模式，成本进一步降低。
(4) 微机械加工阶段(1980 年- 今) ：上世纪末出现的纳米技术，使得微机械加工工艺成为可能。通过微机械加工工艺可以由计算机控制加工出结构型的压力传感器，其线度可以控制在微米级范围内。利用这一技术可以加工、蚀刻微米级的沟、条、膜，使得压力传感器进入了微米阶段。
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