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场效应管基础知识

北京捷拓紫荆科技主要从事电子元器件代理分销与制造，品牌包括KEC、HTC-KOREA、MAPLESEMI、JIMSON、WMEC、ON、ST、TI、NXP、LRC、VISHAY等品牌。  
  场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。 
 
 
  一、场效应管的参数  
  1、UP —夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。  
  2、UT —开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。  
  3、gM—跨导。是表示栅源电压U GS —对漏极电流I D的控制能力，即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。  
  4、BUDS —漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的*大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。  
  5、PDSM —*大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的*大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。  
  6、IDSM —*大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的*大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM 




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  几种常用的场效应三极管的主要参数 
 
  二、场效应管的作用  
  1、场效应管可以用作可变电阻。  
  2、场效应管可以方便地用作恒流源。  
  3、场效应管可以用作电子开关。  
  三、场效应管的测试  
  1、结型场效应管的管脚识别：  
  场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S(可互换)，余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极(使用中接地)。  
  2、判定栅极：  
  用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。  
  制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。  
  注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。  
  3、估测场效应管的放大能力  
  将万用表拨到R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用，UDS和ID都将发生变化，也相当于D-S极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小，




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说明管子的放大能力较弱;若表针不动，说明管子已经损坏。  
  由于人体感应的50Hz交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。少数的管子RDS减小，使表针向右摆动，多数管子的RDS增大，表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何，只要能有明显地摆动，就说明管子具有放大能力。  
  本方法也适用于测MOS管。为了保护MOS场效应管，必须用手握住螺钉旋具绝缘柄，用金属杆去碰栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极上，将管子损坏。  
  MOS管每次测量完毕，G-S结电容上会充有少量电荷，建立起电压UGS，再接着测时表针可能不动，此时将G-S极间短路一下即可。  
  目前常用的结型场效应管和MOS型绝缘栅场效应管的管脚顺序如下图所示。  

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