北京捷拓紫荆科技有限公司
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晶闸管
HITACHI日立IGBT模块
GTR(达林顿)及场效应模块系列Darlington (GRT) and field effect module series
场效应模块MOSFET(MITSUBISHI、IR.、FUJI、SANREX、IXYS、三菱、西门子、西门康)
摩托罗拉GTR模块 MOTOROLA GTR module
西门康GTR模块 XiMenKang GTR module
东芝GTR(达林顿)模块 Toshiba GTR (darlington) module
三社GTR(达林顿)模块 SanRex GTR (darlington) module
日本三垦GTR(达林顿)模块 Sanken GTR (darlington) module
富士GTR(达林顿)模块 Fuji GTR (darlington) module
PRX厂家GTR(达林顿)模块 GTR PRX manufacturer (darlington) module
日本三菱GTR(达林顿)模块 Japan's mitsubishi GTR (darlington) module
IGBT模块系列 Series of IGBT module
英飞凌IGBT功率模块Infineon IGBT power module
优派克IGBT功率模块EUPECIGBT power module
西门子IGBT功率模块Siemens IGBT power module
ABB厂家IGBT功率模块
西门康IGBT模块 XiMenKang IGBT module
日本三垦IGBT模块 Sanken IGBT module
东芝IGBT高速型、东芝IGBT低导通压降型Toshiba IGBT type high-speed, Toshiba IGBT type low conduction voltage drop
富士IGBT模块\大功率IGBT模块 Fuji IGBT module, high power IGBT modules
日本三社厂家IGBT模块 Japan's SanRex IGBT module
三菱IGBT模块+单管IGBT Mitsubishi IGBT modules + single-tube IGBT
智能IGBT、IPM、PIM系列 Intelligent, IGBT, IPM, PIM series
东芝IPM功率模块Toshiba power module IPM
富士IPM功率模块Fuji IPM power module
三菱IPM功率模块
三菱智能IGBT功率模块Mitsubishi IGBT intelligent power module
整流桥系列 Series rectifier bridge
富士整流桥模块
普通整流二极管及快恢复二极管模块系列 Ordinary series rectifier diodes, fast recovery diode module
富士整流二极管
三菱整流二极管
可控硅模块系列 Series thyristor modules
IXYS可控硅模块IXYS thyristor modules
东芝可控硅模块Toshiba thyristor modules
富士厂家可控硅Fuji factory SCR
优派克可控硅模块Optimal parker thyristor modules
西门康可控硅模块XiMenKang thyristor modules
IR厂家可控硅模块IR manufacturer thyristor modules
SanRex日本三社厂家可控硅模块SanRex Japan three clubs thyristor module manufacturer
POWERSEM厂家可控硅模块POWERSEM thyristor module manufacturer
日本国际电子公司可控硅模块The Japan international electronics thyristor modules
三菱可控硅模块Mitsubishi thyristor modules
电子元器件、材料代理 Electronic components, materials agent
各进口品牌驱动电路、三菱智能模块IPM配套专用插座、光耦系列All import brand drive circuit, intelligent module IPM of mitsubishi s
电源模块系列 Power supply module series
进口电流电压传感器 To import the current voltage sensor
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技术文章

2月新品推荐:电源模块、IGBT单管、加速平台、热敏电阻、光电二极管


电源模块

2月23日,Silicon Labs(芯科科技)推出全新的多合一隔离解决方案Si823Hx栅极驱动器板,可为*近发布的Wolfspeed WolfPACK™电源模块提供支持。Wolfspeed电源模块可用于众多电源应用,包括工业和汽车市场中的电动汽车(EV)充电器和电机驱动器。该板包含Si823Hx隔离栅极驱动器和集成了DC-DC转换器的Si88xx数字隔离器,可以紧凑且经济高效的设计提供**的性能,并针对各种模块进行了优化。

2月新品推荐:电源模块、IGBT单管、加速平台、热敏电阻、光电二极管

据介绍,Si823Hx栅极驱动器板可高效地驱动和保护采用任何开关技术的电源模块,包括在要求*严苛的大功率应用中使用的先进碳化硅(SiC)模块。

通过在小型封装中内置死区时间控制和重叠保护功能,双通道Si823Hx隔离栅极驱动器提供了较大价值,其能够以较少的设计工作量来**地驱动半桥拓扑。高度集成的Si88xx器件不仅可以将电源模块的温度传输给控制器,还可为板上电路提供所有电源,从而进一步降低成本和简化设计。

IGBT 单管

2月23日,英飞凌科技推出650V关断电压的CoolSiC™ Hybrid IGBT单管。新款器件结合了650V TRENCHSTOP™ 5 IGBT及CoolSiC™肖特基势垒二极管的主要优点,具有出色的开关频率和更低的开关损耗,特别适用于DC-DC和功率因数校正(PFC)。其常见应用包括:电池充电基础设施、储能系统、光伏逆变器、不间断电源(UPS),以及服务器和电信开关电源(SMPS)。

由于IGBT反并联SiC肖特基势垒二极管,在dv/dt和di/dt值几乎不变下,CoolSiC™ Hybrid IGBT能大幅降低开关损耗。与标准的Si二极管解决方案相比,新产品可降低多达60%的Eon和30%的Eoff。也可在输出功率保持不变下,开关频率提高至少40%。较高的开关频率有助于减小无源器件的尺寸,进而降低物料成本。该Hybrid IGBT可直接替代TRENCHSTOP™ 5 IGBT,无需重新设计,便能使每10kHz开关频率提升0.1%的效率。

此产品系列可作为全Si解决方案和高效能SiC MOSFET设计之间的衔接,与全Si设计相比,Hybrid IGBT可提升电磁兼容性和系统可靠性。由于SiC肖特基势垒二极管的单极性特性,使二极管能快速开关,而不会有严重的振荡和寄生导通的风险。此系列提供TO-247-3或TO-247-4引脚的Kelvin Emitter封装供客户选择。Kelvin Emitter封装的第四引脚可实现超低电感的栅极发射极控制回路,并降低总开关损耗。

AI深度学习加速平台

2月2日,凌华科技推出高度紧凑且支持GPU的全新DLAPx86系列深度学习加速平台,是目前市场上较为紧凑的GPU深入学习加速平台。DLAPx86系列可用于部署边缘处的大规模深度学习,采集边缘产生的数据并采取行动。DLAPx86系列针对大规模边缘AI布署所设计,可将深度学习带进终端,拉近与现场资料、现场决策应变的距离。该平台的优化配置可加速需要大量内存的计算密集型AI推理和任务学习,助力各行业应用的AI部署。

2月新品推荐:电源模块、IGBT单管、加速平台、热敏电阻、光电二极管

DLAPx86系列优势:(1)高性能异构架构——采用Intel®处理器和NVIDIA Turing™ GPU架构,提供比其他技术更高的GPU加速运算以及优化的每瓦效能和每单位投资效能。(2)DLAPx86系列的*小体积仅为3.2升,是移动医疗成像设备等紧凑型移动设备和仪器的理想选择。(3)DLAPx86系列采用坚固耐用型设计,可承受高达50摄氏度/240瓦特的散热温度及2Grms的振动强度,并提供高达30Grms的防震保护,具备工业、制造业和医疗环境所需的可靠性。

DLAPx86在边缘AI应用中在效能、体积、重量、功耗等设计取得平衡,将每瓦效能、每单位投资效能极大化,应用案例包括:

  • 移动医疗成像设备:C型臂、内窥镜系统、手术导航系统
  • 制造生产:对象识别、机器人拾取和放置、质量检验
  • 用于知识迁移的边缘AI服务器:结合预训练AI模型与本地数据集

热敏电阻

2月18日,Vishay推出新款符合AEC-Q200标准的NTC热敏电阻——NTCLE350E4,采用PEEK绝缘镍铁(NiFe)合金引线,热梯度低。而且其热敏电阻耐高温达+185℃,适合各种汽车应用快速、高精度温度检测。

NiFe合金NTCLE350E4传感器导线导热性目前在市场上*低。因此,器件热梯度小于0.01K/K(或1%),几乎不向周围环境散发热量,可进行高精度温测,优于铜等其他导线材料几个度量级。为加强高湿度条件下的可靠性,传感器PEEK绝缘引线与封装环氧树脂之间具有高粘合强度。NTC检测芯子*大直径为2.4mm,空气中快速响应时间为6秒。

2月新品推荐:电源模块、IGBT单管、加速平台、热敏电阻、光电二极管

NTCLE350E4具有高精度、快速响应和耐高温能力,适用于内燃发动机冷却液、燃料、歧管气体压力(MAP / TMAP)传感器,以及暖通空调(HVAC)应用。在电力牵引电机中,器件可灌封或模压到传感器中,保护大电流连接器。除废气再循环(EGR)应用外,NTCLE350E4还可以用作变速箱系统和液冷起动发电机系统的油温传感器(OTS)。

目前,NTCLE350E4现可提供样品并已实现量产,供货周期为12周。

光电二极管

2月19日,Vishay推出新款可见红外高感光度高速硅PIN光电二极管——VEMD8081,扩充光电二极管产品组合。该器件采用矩形4.8mm x 2.5mm顶视表面贴封装,厚度薄至0.48mm,典型反向光电流为33µA,提高可穿戴设备和医疗应用生物传感器性能。

2月新品推荐:电源模块、IGBT单管、加速平台、热敏电阻、光电二极管

VEMD8081在相同封装尺寸条件下,反向光电流比其前身VEMD8080大15%,为设计人员提供直接替代器件,增加信号输出提高性能,或减小LED电流延长电池寿命。

VEMD8081位于两个绿色脉动LED之间,可在运动追踪器和智能手表等可穿戴设备中进行心率检测。光电二极管接收皮肤反射回来的光,将其转换为输出电流,器件提高了灵敏度,可进行更**的测量。VEMD8081矩形形状*大化光电二极管感光区,消除一般正方形光电二极管浪费的面积。结合红光和红外发射器,器件适用于医疗监护仪的SpO2测量。

目前VEMD8081现可提供样品并已实现量产,供货周期为10周。



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