有幸见识到2000A大功率IGBT驱动，再把我十几年前一直使用的正弦波程序，打磨了一翻，主芯片为大家熟悉的PIC16F716，终于出来了这款正弦波大功率IGBT模块控制2000A驱动板。欢迎大家实验见证, 谢谢！同时也感谢寿老师的好贴子，给了我很大启发；大功率IGBT二手市场货源好便宜，二次利用经济实惠，很轻易实现10KW以上的大功率正弦波输出。
正弦波大功率IGBT模块控制驱动板，实际上是逆变器的后级DC转AC部分，把前级的高压直流转变成交流220V输出的装置。
现在市场上，拆机大功率的IGBT太多了，功率大价格便宜，我想利用这些好的资源，制作一款大功率正弦波逆变器，要想利用好这些大功率IGBT做逆变器，正弦波控制板要注意两点，工作时的死区时间和工作时的开关频率，这两点很致命。本控制板死区时间250ns为基准档位，一直到10us任意可控制，可以适应于不同大小的IGBT模块使用，本板控制为2.0us，再就是载波频率SPWM为16.000KHz，控制板带50Hz/60Hz切换，带开关机控制，带LCD12864直接显示等，板子尺寸：15*6.5cm
先上原理图：
本控制板的稳压方式，采用的是正弦峰值稳压，电压瞬时值反馈和有效值反馈结构的，双闭环控制方式。外环电压有效值反馈，使系统稳态时尽可能实现输出无静差，内环采用瞬时值反馈，保证系统获得优良的动态性能，二者各司其职，共同协作。
本人为何选择正弦峰值稳压，是因为暂态闭环响应速度快，对母线电压的变化和输出负载的变化，瞬态响应均快，控制环线路简单，控制环易于控制。另外瞬时峰值的电压，是内在固有的逐个峰值波一一对应控制。
普通的取样稳压就不一样了，取样信号需要整流和电容滤波，需要平滑的直流输入，在整流滤波过程中会有一个很长的时间差，这样就大大延迟了应该稳压的时间点，就会造成输出电压的忽高忽低，稳压总是有延后的现象，稳压不真实。所以正弦波峰值稳压方式，是对每个一一对应的峰值波形，逐个控制，真实，响应速度快，控制非常精准；如果除开输出线路中的压降，可以真正做到输出电压纹丝不动。
正弦波大功率IGBT模块控制驱动板，驱动是参照了650KW的SPWM大功率驱动，一模一样照搬，本人有幸碰到，大家请看图
这IGBT驱动功率够大，每一路采用4只450A的IGBT并联使用，驱动能力已达到2000A以上。
316J驱动说明：
IGBT在以变频器及各类电源为代表的电力电子装置中得到了广泛应用。IGBT集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体，具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快和工作频率高等优点。
但是，IGBT和其它电力电子器件一样，其应用还依赖于电路条件和开关环境。因此，IGBT的驱动和保护电路是电路设计的难点和重点，是整个装置运行的关键环节。
为解决IGBT的可靠驱动问题，国外各IGBT生产厂家或从事IGBT应用的企业开发出了众多的IGBT驱动集成电路或模块，如国内常用的日本富士公司生产的EXB8系列，三菱电机公司生产的M579系列，美国IR公司生产的IR21系列等。但是，EXB8系列、M579系列和IR21系列没有软关断和电源电压欠压保护功能，而惠普生产的HCLP一316J有过流保护、欠压保护和1GBT软关断的功能，且价格相对便宜，因此，本文将对其进行研究，并给出1700V，200～300AIGBT的驱动和保护电路。
1、IGBT的工作特性
IGBT是一种电压型控制器件，它所需要的驱动电流与驱动功率非常小，可直接与模拟或数字功能块相接而不须加任何附加接口电路。IGBT的导通与关断是由栅极电压UGE来控制的，当UGE大于开启电压UGE（th）时IGBT导通，当栅极和发射极间施加反向或不加信号时，IGBT被关断。
IGBT与普通晶体三极管一样，可工作在线性放大区、饱和区和截止区，其主要作为开关器件应用。在驱动电路中主要研究IGBT的饱和导通和截止两个状态，使其开通上升沿和关断下降沿都比较陡峭。
2、IGBT驱动电路要求
在设计IGBT驱动时必须注意以下几点。
1）栅极正向驱动电压的大小将对电路性能产生重要影响，必须正确选择。当正向驱动电压增大时，．IGBT的导通电阻下降，使开通损耗减小；但若正向驱动电压过大则负载短路时其短路电流IC随UGE增大而增大，可能使IGBT出现擎住效应，导致门控失效，从而造成IGBT的损坏；若正向驱动电压过小会使IGBT退出饱和导通区而进入线性放大区域，使IGBT过热损坏；使用中选12V≤UGE≤18V为好。栅极负偏置电压可防止由于关断时浪涌电流过大而使IGBT误导通，一般负偏置电压选一5V为宜。另外，IGBT开通后驱动电路应提供足够的电压和电流幅值，使IGBT在正常工作及过载情况下不致退出饱和导通区而损坏。
2）IGBT快速开通和关断有利于提高工作频率，减小开关损耗。但在大电感负载下IGBT的开关频率不宜过大，因为高速开通和关断时，会产生很高的尖峰电压，极有可能造成IGBT或其他元器件被击穿。
3）选择合适的栅极串联电阻RG和栅射电容CG对IGBT的驱动相当重要。RG较小，栅射极之间的充放电时间常数比较小，会使开通瞬间电流较大，从而损坏IGBT；RG较大，有利于抑制dvce／dt，但会增加IGBT的开关时间和开关损耗。合适的CG有利于抑制dic／dt，CG太大，开通时间延时，CG太小对抑制dic／dt效果不明显。
4）当IGBT关断时，栅射电压很容易受IGBT和电路寄生参数的干扰，使栅射电压引起器件误导通，为防止这种现象发生，可以在栅射间并接一个电阻。此外，在实际应用中为防止栅极驱动电路出现高压尖峰，*好在栅射间并接两只反向串联的稳压二极管，其稳压值应与正负栅压相同。
各引脚功能如下：
脚1（VIN+）正向信号输入；
脚2（VIN-）反向信号输入；
脚3（VCG1）接输入电源；
脚4（GND）输入端的地；
脚5（RESERT）芯片复位输入端；
脚6（FAULT）故障输出，当发生故障（输出正向电压欠压或IGBT短路）时，通过光耦输出故障信号；
脚7（VLED1+）光耦测试引脚，悬挂；
脚8（VLED1-）接地；
脚9，脚10（VEE）给IGBT提供反向偏置电压；
脚11（VOUT）输出驱动信号以驱动IGBT；
脚12（VC）三级达林顿管集电极电源；
脚13（VCC2）驱动电压源；
脚14（DESAT）IGBT短路电流检测；
脚15（VLED2+）光耦测试引脚，悬挂；
脚16（VE）输出基准地。
HCPL-316是一款简单易用的智能型IGBT驱动光耦，集成了VCE饱和压降检测，欠压锁定，软关断以及隔离故障反馈输出。
对于316J的说明资料，网络上很多，大家多多了解