下面我们讨论IGBT模块温度是影响电子器件工作可靠性的主要因素
研究表明,器件的失效率与其结温成指数关系,性能则随结温升高而降低。与此同时,由于半导体器件及其安装基板具有不同的热膨胀系数,上述相关材料受热作用将在结合处产生热应力,导致芯片损坏或不能使用等严重后果。功率模块在IGBT功率模块散热，当前的阐述热点之一是在模块设计阶段直接冷却技术，散热片上的铜基板集成功率模块。这种结构使得IGBT模块不再需要连接到模块铜基板与支撑板的导热界面材料，使该模块的总热阻大大降低。对直接冷却IGBT功率模块的仿真测试，自主研发的组合进行了比较传统的间接冷却模块的热性能研究。
*后总结结果表明，直接冷却模块的热电阻的*大减少为30%，和温度场分布更均匀。仿真结果与理论明结果一致，证了仿真模型的准确性。