1）反向特性 西门康可控硅模块控制是非常开放的，正、反向电压,J2结是积极的，但J1，J2和反面。在这一点上只有很小的反向饱和电流，当电压进一步提高，J1结的雪崩击穿电压，然后J3结也击穿，对弯开始特征电流急剧增加，如特征或部分的电压称为反向，尿转折点的弯曲”。在这一点上，可控硅将发生**反向击穿。
2）正向特性 当闸门打开，阳极加上正向电压，J1，J2 J3结是偏颇的，但结反向偏置，可控硅模块与普通PN结的反向特性类似，只有通过小电流。这就是所谓的正向阻断状态，当电压增加弯曲的特点，在OA的特点表明，弯曲称为正向转折电压UBO.
3、触发导通 当正电压加到控制极P2，J3在N2区，在IGT区N2区的电子在P2区，这是对可控硅硅的正反馈效应的基础上，由G.形成，增加IGT的影响，这导致提前SCR的铅，导致OA的伏安特性转移到该段的左IGT的更大，更快速的左特征。西门康可控硅模块由于高电压上升到J2结的雪崩击穿电压，雪崩倍增效应发生在J2结，导致大量在结区的电子和空穴，当电子进入N1区，与孔进入P2区。在电子和J1结为N1区通过P1连接孔复合N1区，成孔的P2区和N2连接到P2区通过J3结电子复合，雪崩击穿，为电子的N1区和成孔的P2区不能将所有的材料，所以在孔积累区的N1，P2区的结果，潜在的N1区缩小，J2结变得积极，只要电流略有增加，所谓的负阻特性.