IGBT功率模块作为一个概念被引入世界的先驱。该装置是一种晶闸管结构（内分四层），其特点是形成V形槽栅碱湿法刻蚀工艺。显示了一个氮通道增强的绝缘栅双极晶体管结构的结构，称为氮源区，这是连接到源区的电极。被称为漏极区域。该设备的控制区是一个栅极区域，它被连接到称为栅极的电极上。信道是在网格的边界上形成的。P型（P + P），这是在流失，形成了该区源，称为区域的子信道。在漏区另一边的P +区域称为喷油器漏，这是一个独特的IGBT功率模块的功能区，与漏区和亚沟道区形成一个PNP双极型晶体管。连接到漏极区域的电极称为漏极。IGBT的开关作用是通过对PNP晶体管增加一个栅极电压提供基极电流的形成，使IGBT导通。相反，添加反向栅极电压消除通道，切断基极电流，使IGBT的关。
IGBT和MOSFET的驱动方法基本上是相同的，只需要控制一个通道MOSFET的输入，它具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成，孔（少子）从P +基地注入N层，和N层由一层N调制，从而降低了一层IGBT功率模块的阻力，也有在高电压低电压状态。