首页 >>> 技术文章 >

技术文章

IGBT工作原理
IGBT含P + / N / P / N +四层结构,可以认为IGBT由MOSFET和PNP晶体管,MOSFET控制网格驱动PNP型晶体管;也可以认为这是由VDMOS和PN二极管。以1为例分析了IGBT的操作模式。结构如图1所示的网格G和发射器E子正电压,通过负压收集器,反向阻断的设备状态。:为J1、J3和部分,J2结部分,为J1、J3偏结为了防止电流,反向电压主要由j - 1承担。网格G和发射器E接头时,收集器C相对于网格和正电压,为J1、J3结部分,部分J2,仍然不能传导电流,电压主要由部分结J2,IGBT在正面。PT型IGBT因为缓冲层的存在通过牺牲反向阻断属性来获得更好的屏蔽特性,有良好的方向,和《不扩散核武器条约》型IGBT阻碍属性。收集器C加正电压时,门和发射器E G电压大于阈值电压时,IGBT MOS通道打开,设备的状态。
上一篇：空调功率模块在空调电路中起什么作用，怎样检查其好坏？
下一篇：整流桥模块