整流二极管模块是半导体器件用于交流电变成直流电(dc)。通常它由PN结,阳极和阴极的两个终端。其结构如图1所示。承运人P的无效区域,N承运人是电子,P和N的范围内形成一定的障碍。加电压和正P区相对N区、势垒降低,两岸的障碍附近产生存储载体,可以通过大电流,低电压降(典型值为0.7 V),称为状态。如果加上反向电压,增加障碍,可以承受反向电压高,流经一个小反向电流(称为反向漏电流),称为反向截止状态。整流二极管的单向导电性非常明显。整流二极管模块可以生产锗或硅等半导体材料。整流二极管模块的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能好。高压大功率整流二极管通常由高纯度硅(掺杂太容易反向击穿)。这个设备结面积较大,能通过较大电流(*高可达上千安),但工作频率不高,通常在几千赫。整流二极管模块主要用于各种低频半波整流电路,如需要一起使用将需要实现全波整流器整流桥
在选择整流二极管模块时,主要应考虑*大整流电流、反向工作参数,如电流、截止频率及反向恢复时间。
普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管,反向恢复时间要求的截止频率不高,可以根据需求选择电路的*大整流电流整流二极管反向工作电流和*大满足要求。