北京捷拓紫荆科技有限公司
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晶闸管
HITACHI日立IGBT模块
GTR(达林顿)及场效应模块系列Darlington (GRT) and field effect module series
场效应模块MOSFET(MITSUBISHI、IR.、FUJI、SANREX、IXYS、三菱、西门子、西门康)
摩托罗拉GTR模块 MOTOROLA GTR module
西门康GTR模块 XiMenKang GTR module
东芝GTR(达林顿)模块 Toshiba GTR (darlington) module
三社GTR(达林顿)模块 SanRex GTR (darlington) module
日本三垦GTR(达林顿)模块 Sanken GTR (darlington) module
富士GTR(达林顿)模块 Fuji GTR (darlington) module
PRX厂家GTR(达林顿)模块 GTR PRX manufacturer (darlington) module
日本三菱GTR(达林顿)模块 Japan's mitsubishi GTR (darlington) module
IGBT模块系列 Series of IGBT module
英飞凌IGBT功率模块Infineon IGBT power module
优派克IGBT功率模块EUPECIGBT power module
西门子IGBT功率模块Siemens IGBT power module
ABB厂家IGBT功率模块
西门康IGBT模块 XiMenKang IGBT module
日本三垦IGBT模块 Sanken IGBT module
东芝IGBT高速型、东芝IGBT低导通压降型Toshiba IGBT type high-speed, Toshiba IGBT type low conduction voltage drop
富士IGBT模块\大功率IGBT模块 Fuji IGBT module, high power IGBT modules
日本三社厂家IGBT模块 Japan's SanRex IGBT module
三菱IGBT模块+单管IGBT Mitsubishi IGBT modules + single-tube IGBT
智能IGBT、IPM、PIM系列 Intelligent, IGBT, IPM, PIM series
东芝IPM功率模块Toshiba power module IPM
富士IPM功率模块Fuji IPM power module
三菱IPM功率模块
三菱智能IGBT功率模块Mitsubishi IGBT intelligent power module
整流桥系列 Series rectifier bridge
富士整流桥模块
普通整流二极管及快恢复二极管模块系列 Ordinary series rectifier diodes, fast recovery diode module
富士整流二极管
三菱整流二极管
可控硅模块系列 Series thyristor modules
IXYS可控硅模块IXYS thyristor modules
东芝可控硅模块Toshiba thyristor modules
富士厂家可控硅Fuji factory SCR
优派克可控硅模块Optimal parker thyristor modules
西门康可控硅模块XiMenKang thyristor modules
IR厂家可控硅模块IR manufacturer thyristor modules
SanRex日本三社厂家可控硅模块SanRex Japan three clubs thyristor module manufacturer
POWERSEM厂家可控硅模块POWERSEM thyristor module manufacturer
日本国际电子公司可控硅模块The Japan international electronics thyristor modules
三菱可控硅模块Mitsubishi thyristor modules
电子元器件、材料代理 Electronic components, materials agent
各进口品牌驱动电路、三菱智能模块IPM配套专用插座、光耦系列All import brand drive circuit, intelligent module IPM of mitsubishi s
电源模块系列 Power supply module series
进口电流电压传感器 To import the current voltage sensor
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技术文章

igbt功率模块旧的和新的比较

旧的和新的比较
在传统的设计和使用IGBT的过程,这是基本的设计模式,它是用来设计模型,以及系统是巨大的,但它仍然是无法抗拒的各种干扰及其系统引起的故障问题。所以如何突破传统的IGBT保护电路设计系统来解决上述问题?
折叠传统保护模式
防止损坏IGBT——**一些保护元件可以设置在G、E极栅电荷积累和栅源电压保护方案,如电阻RGE角色是门积累的电荷放电(电阻是可取的5K);两个反向串联稳压二极管V1和V2,是为了为了防止IGBT栅源电压尖峰损坏。此外,还有控制电路部分的实现和驱动IGBT设计之间的隔离,和栅极驱动电路的设计等。然而,即使在这一点,在实际使用的工业环境,上述计划仍然有一个相对较高的产品故障率-有时甚至超过5%。相关的实验数据和研究表明,这是对瞬态浪涌密切相关,静态和高频电子干扰,和电压调节器在响应时间和承受电流的能力是远远不够的,这导致IGBT过热而损坏。
传统保护模式与新型保护模式的比较
折叠新保护模式
新型的瞬态抑制二极管(电视)是由传统的稳压管代替。平均栅极驱动电压为15V,可以smbj15ca型。该产品可测试10 / 700us6kv IEC61000 - 4 - 5激增。
电视的反应速度非常快(可达PS水平),流过二极管的能力(可达千安培),同时,电视对静电有很好的效果。该产品可测试IEC61000-4-2接触放电8kV和空气放电15kV。
传统的电阻Rg变为正温度系数(PPTC)熔断器。它具有抗性的效果,并且对温度敏感。当电流增大时,阻抗也随之增大,具有很好的抑制作用。
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