首页 >>> 技术文章 >

技术文章

igbt功率模块使用注意事项
     由于IGBT模块模块IGBT栅极MOSFET结构，由一层氧化膜和发射极电隔离。因为薄的氧化膜的击穿电压，一般是20 ~ 30V。所以栅极击穿是IGBT功率模块故障由于静电的常见原因。所以用以下几点来关注：
     在使用igbt功率模块时，尽量不采用手触摸驱动端子部分，当必须接触端子模块时，静电对人体及衣物具有高电阻接地放电，再次接触；用导电材料连接模块驱动端子。接线前请先不接模块，尽可能在地板上有良好的接地。在应用中，栅极驱动电压不能保证超过*大额定电压，但栅极线的寄生电感和栅极和集电极之间的耦合也产生，和氧化物层的电压可以被损坏。为此，一个扭曲的对通常是用来传输的驱动信号，以减少寄生电感。串联电阻也可以抑制在电网连接。
      此外，当栅极在集电极和发射极之间开路时，集电极和发射极之间的电压被改变。在这个时候，如果有集电极和发射极之间的高电压，有可能使IGBT功率模块发热和损伤。
      在IGBT功率模块的使用，当闸门电路不正常或损坏的门电路，如果主电路和IGBT功率模块的电压，然后将被破坏，为了防止此类故障，应在栅极和发射极之间串联一个10K。
     在安装或更换IGBT模块，IGBT模块应附伟大的重视接触表面状态和紧度。为了降低接触电阻，*好应用导热硅脂的散热器和IGBT模块。一般来说，散热片的底部设有冷却风扇，当散热风扇损坏，就会造成IGBT模块的热，和发生故障。因此，冷却风机应定期检查，在散热器靠近IGBT模块安装一个温度传感器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块的工作。
上一篇：进口电压红外线传感器工作原理
下一篇：ABBIGBT功率模块原理