西门子IGBT功率模块它是由BJT（双极型晶体管）和MOS（绝缘栅型场效应管），具有高输入阻抗和低压力降MOSFET GTR的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动器是非常小的，和开关速度很快，但压降大，载流密度小。 西门子IGBT功率模块结合两种器件的优点，驱动功率小，降低饱和电压。非常适合直流电压600V以上的应用变流量系统如交流电机，变频器，开关电源，照明电路，牵引传动等领域。 目前，高质量的西门子IGBT功率模块的不足，几乎全部依赖进口。绝缘栅双极晶体管（IGBT）是一个*年轻的高压开关系列。由一个15V的高阻抗电压源，可以方便的实现较低的控制权来控制大电流的控制。 西门子IGBT功率模块用户友好版本的作用： 西门子IGBT功率模块为开关，非即破，如何控制他或破碎，依靠的是栅源电压，当栅源+12V（大于6V，12V至15V时一般采取）IGBT导通，栅源电压不添加或负压，
西门子IGBT功率模块关断，加负压是一个可靠的关闭。 西门子IGBT功率模块没有放大电压的功能，可以作为引导，当开路。 西门子IGBT功率模块具有三个端子，分别，G，D，S，S和G在两端的电压，内部的电子转移（半导体材料的特性，这就是为什么电力电子开关的半导体材料的使用），它是正离子和负离子一一，半导体材料是中性的，但之后增加电压，所积累的一副作用下的电子，形成一层导电沟道，因为电子可以导电，为导体。如果电压在GS的两端去掉，这层导电沟道消失，不会导电，为绝缘体。 主营产品：