北京捷拓紫荆科技有限公司
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产品目录

晶闸管
HITACHI日立IGBT模块
GTR(达林顿)及场效应模块系列Darlington (GRT) and field effect module series
场效应模块MOSFET(MITSUBISHI、IR.、FUJI、SANREX、IXYS、三菱、西门子、西门康)
摩托罗拉GTR模块 MOTOROLA GTR module
西门康GTR模块 XiMenKang GTR module
东芝GTR(达林顿)模块 Toshiba GTR (darlington) module
三社GTR(达林顿)模块 SanRex GTR (darlington) module
日本三垦GTR(达林顿)模块 Sanken GTR (darlington) module
富士GTR(达林顿)模块 Fuji GTR (darlington) module
PRX厂家GTR(达林顿)模块 GTR PRX manufacturer (darlington) module
日本三菱GTR(达林顿)模块 Japan's mitsubishi GTR (darlington) module
IGBT模块系列 Series of IGBT module
英飞凌IGBT功率模块Infineon IGBT power module
优派克IGBT功率模块EUPECIGBT power module
西门子IGBT功率模块Siemens IGBT power module
ABB厂家IGBT功率模块
西门康IGBT模块 XiMenKang IGBT module
日本三垦IGBT模块 Sanken IGBT module
东芝IGBT高速型、东芝IGBT低导通压降型Toshiba IGBT type high-speed, Toshiba IGBT type low conduction voltage drop
富士IGBT模块\大功率IGBT模块 Fuji IGBT module, high power IGBT modules
日本三社厂家IGBT模块 Japan's SanRex IGBT module
三菱IGBT模块+单管IGBT Mitsubishi IGBT modules + single-tube IGBT
智能IGBT、IPM、PIM系列 Intelligent, IGBT, IPM, PIM series
东芝IPM功率模块Toshiba power module IPM
富士IPM功率模块Fuji IPM power module
三菱IPM功率模块
三菱智能IGBT功率模块Mitsubishi IGBT intelligent power module
整流桥系列 Series rectifier bridge
富士整流桥模块
普通整流二极管及快恢复二极管模块系列 Ordinary series rectifier diodes, fast recovery diode module
富士整流二极管
三菱整流二极管
可控硅模块系列 Series thyristor modules
IXYS可控硅模块IXYS thyristor modules
东芝可控硅模块Toshiba thyristor modules
富士厂家可控硅Fuji factory SCR
优派克可控硅模块Optimal parker thyristor modules
西门康可控硅模块XiMenKang thyristor modules
IR厂家可控硅模块IR manufacturer thyristor modules
SanRex日本三社厂家可控硅模块SanRex Japan three clubs thyristor module manufacturer
POWERSEM厂家可控硅模块POWERSEM thyristor module manufacturer
日本国际电子公司可控硅模块The Japan international electronics thyristor modules
三菱可控硅模块Mitsubishi thyristor modules
电子元器件、材料代理 Electronic components, materials agent
各进口品牌驱动电路、三菱智能模块IPM配套专用插座、光耦系列All import brand drive circuit, intelligent module IPM of mitsubishi s
电源模块系列 Power supply module series
进口电流电压传感器 To import the current voltage sensor
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技术文章

可控硅模块的性能

       可控硅模块的性能差异的表现:旋钮R x 1,1 ~ 6A单向可控硅,红笔K极,黑笔在同一时间,G极,在保持黑笔不出G极的状态时,指针应向欧洲一百,此时SCR被触发,且触发电压低(小)。然后断开一个瞬时,该指针应返回该位置,为良好的可控硅模块。1 ~ 6A双向可控硅,红笔和T1极,黑笔在同一时间,T2,T2极,在保证黑笔不出G极的前提下,指针应指向几十到一百以上(根据目前的硅,大小厂家不同)。然后两个交换,重复测量上述步骤,指针也比上一个稍大的十几至几十欧,则表明良好的可控硅触发电压(或电流)。如果要连接到一个极点或电极T2 TB开G极,指针立即退回∞位置,电流太大或损坏,触发可控硅模块。可在可控硅模块的性能进一步测量,对于一个单一的可控硅方向,关闭开关,光要亮,断开的灯仍不亮,否则会显示晶闸管损坏。

北京捷拓紫荆科技有限公司主营产品: 

igbt功率模块,电源模块,可控硅模块,ipm功率模块,gtr达林顿模块,整流桥模块,整流二极管模块,电源电压传感器,富士IGBT功率模块

;欢迎选购   联系电话:62106598   62106578  62106568   62105909  62105908  62105906    

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