首页 >>> 技术文章 >

技术文章

IGBT功率模块原理及内部原理图
   IGBT功率模块是一种新型的电力电子装置，它是用来克服一些缺点的功率开关器件（MOS），晶体管的功率晶体管。
我们知道，在中高频功率电子应用中，功率管或功率场效应管通常用于开关大电流，但是，这2种功率器件在使用中存在一定的缺陷。
首先，功率场效应晶体管（功率MOS），假设开关电流为20A，场效应晶体管的导通电阻为0.1欧姆。所以，场效应管会产生40瓦的功率消耗。这是伟大的。但是，场效应管有它的优势，是控制（驱动器），场效应管是电压驱动装置，驱动，只要门（晶体管的基极）加上一定的电压（无需提供电流，不需要任何动力）可以驱动MOS管，这是它的优点。
    IGBT功率模块假设相同的开关电流20A，而晶体管的导通饱和压降0.3伏，然后，晶体管将有6瓦的功耗，功耗小，这是它的优点，然而，晶体管是电流驱动的器件，为了打开这20A电流，需要提供一个足够大的驱动电流，尤其是不容易控制的，，需要的驱动电流更大，这是它的缺点。
     现在IGBT功率模块。它具有场效应晶体管的特性，功率晶体管和功率晶体管的功率输出具有晶体管的特性，可以被理解为具有场效应管驱动特性的功率晶体管，或具有晶体管特性的功率场效应晶体管。事实上，IGBT功率模块和功率MOS管的生产工艺集中在一个装置，它有一个简单的控制（电压驱动的，不需要驱动电流），功耗较低。
上一篇：电源电压传感器的性能有点
下一篇：IGBT功率模块性能特点