北京捷拓紫荆科技有限公司
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产品目录

晶闸管
HITACHI日立IGBT模块
GTR(达林顿)及场效应模块系列Darlington (GRT) and field effect module series
场效应模块MOSFET(MITSUBISHI、IR.、FUJI、SANREX、IXYS、三菱、西门子、西门康)
摩托罗拉GTR模块 MOTOROLA GTR module
西门康GTR模块 XiMenKang GTR module
东芝GTR(达林顿)模块 Toshiba GTR (darlington) module
三社GTR(达林顿)模块 SanRex GTR (darlington) module
日本三垦GTR(达林顿)模块 Sanken GTR (darlington) module
富士GTR(达林顿)模块 Fuji GTR (darlington) module
PRX厂家GTR(达林顿)模块 GTR PRX manufacturer (darlington) module
日本三菱GTR(达林顿)模块 Japan's mitsubishi GTR (darlington) module
IGBT模块系列 Series of IGBT module
英飞凌IGBT功率模块Infineon IGBT power module
优派克IGBT功率模块EUPECIGBT power module
西门子IGBT功率模块Siemens IGBT power module
ABB厂家IGBT功率模块
西门康IGBT模块 XiMenKang IGBT module
日本三垦IGBT模块 Sanken IGBT module
东芝IGBT高速型、东芝IGBT低导通压降型Toshiba IGBT type high-speed, Toshiba IGBT type low conduction voltage drop
富士IGBT模块\大功率IGBT模块 Fuji IGBT module, high power IGBT modules
日本三社厂家IGBT模块 Japan's SanRex IGBT module
三菱IGBT模块+单管IGBT Mitsubishi IGBT modules + single-tube IGBT
智能IGBT、IPM、PIM系列 Intelligent, IGBT, IPM, PIM series
东芝IPM功率模块Toshiba power module IPM
富士IPM功率模块Fuji IPM power module
三菱IPM功率模块
三菱智能IGBT功率模块Mitsubishi IGBT intelligent power module
整流桥系列 Series rectifier bridge
富士整流桥模块
普通整流二极管及快恢复二极管模块系列 Ordinary series rectifier diodes, fast recovery diode module
富士整流二极管
三菱整流二极管
可控硅模块系列 Series thyristor modules
IXYS可控硅模块IXYS thyristor modules
东芝可控硅模块Toshiba thyristor modules
富士厂家可控硅Fuji factory SCR
优派克可控硅模块Optimal parker thyristor modules
西门康可控硅模块XiMenKang thyristor modules
IR厂家可控硅模块IR manufacturer thyristor modules
SanRex日本三社厂家可控硅模块SanRex Japan three clubs thyristor module manufacturer
POWERSEM厂家可控硅模块POWERSEM thyristor module manufacturer
日本国际电子公司可控硅模块The Japan international electronics thyristor modules
三菱可控硅模块Mitsubishi thyristor modules
电子元器件、材料代理 Electronic components, materials agent
各进口品牌驱动电路、三菱智能模块IPM配套专用插座、光耦系列All import brand drive circuit, intelligent module IPM of mitsubishi s
电源模块系列 Power supply module series
进口电流电压传感器 To import the current voltage sensor
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技术文章

功率电源模块应用

      MOSFET(ST,ST)对权力的新系列把电源的设计*大限度地提高产品的有效性,同时提高了稳定性和**性的因素。MDmesh K5产品**超过地面的技术优势和1500V的漏源极(漏源击穿电压崩溃电压晶体管,并已在亚洲和欧洲的主要客户在设计导入。
        新产品锁定计算机服务器及工业自动化市场。该服务器需要一个较高的功率输出功率,而电源的关键因素是降低服务器的功率,以减少电力中断时间。这些应用程序的输出功率为75W到230W或更高,和优良的动态切换性能的超平面MOSFET技术使它的工业应用的*佳选择。
       ST K5 MDmesh功率MOSFET系列将提升到一个新水平,电力集团的单位面积(在(RDS))和栅极电荷(Qg)是*低的,具有*好的FOM(品质因数)。新产品的主要电源的理想选择的拓扑结构,包括标准的准谐振(准谐振)和有源箝位反激变换器和半桥LLC谐振变换器,需要很宽的输入电压,效率高(达96%)和输出功率200W功率。
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