单方向可控硅的性能可以在四个方面进行检测。首先是三个光合路口应处于良好状态；二是当之间的阴极和阳极电压反向连接能够阻断和非传导；第三是当门是开放的，在阳极和阴极之间的电压正连接是不进行；第四是控制和正向电流和阳极和正向电压，可控硅的控制的漏电流，仍处于导电状态。用电表来测量电阻的硅可控硅，可以是前三个方面的好还是坏的判断。具体方法是：用R×1K或R×10K挡测量阳极和阴极之间的积极和消极的抵抗（控制极接电压），两电阻应很大。电阻值越大，反向漏电流越小。如果测得的电阻值很低，或接近无穷大，可控硅有击穿和短路或开路，可控硅不使用。用R×1K或R×10K挡测量阳极和控制极反向电阻测量应几百千欧以上之间的电阻，如果电阻值？# 8221；水稻骨骺球迷于凳人屈内衬II？/字体> R×1K或R×100档，测量和控制非常积极和消极抵抗的阴极之间的PN结和千欧姆，如正向电阻接近零或无穷大，表明控制电极和阴极之间的PN结已经损坏。反向电阻应该是大的，但不是无限的。正常情况下是显著大于正电阻的反向电阻。选择万用表电阻R×1挡，黑表笔接阳极，红表笔接阴极，仪表指针不动。
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