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IGBT功率模块动态特性
        IGBT功率模块在开口的过程中，大部分时间是尽可能的MOSFET运行，只是在漏源电压UDS下降以，PNP晶体管的后期通过扩增区饱和，和增加延迟。 TD（上），用于在延时开口，三对电流上升时间。实际应用中经常给出的漏电流开通时间ton是TD（上）三，漏电压源的下降时间由tfe1 tfe2的。 
        IGBT功率模块的触发和关闭请求到栅和基具有正电压和负电压，栅极电压可以由不同的驱动电路之间就产生了。当驱动电路必须基于以下参数：设备关闭偏压，栅极电荷，高坚固性和功率。由于IGBT栅极 - 发射极阻抗大，所以它可以触发使用MOSFET驱动技术，但由于IGBT比MOSFET的高输入电容，使         IGBT功率模块关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路提供偏置较高。 
        IGBT功率模块在关断过程中，漏电流波形一分为二。由于MOSFET关闭后，PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除，造成漏电流长尾时间，TD（关闭）关闭延迟时间后，TRV电压UDS（F）的上升时间。实际应用中经常给出的漏极电流的泄漏被T（F1）和t（F2）的曲线图下降时间（TF）是由两部分组成，漏电流关断时间 
T（关闭）= TD（关闭）+ TRV10吨（F）（）（） 
式：TD（关闭）和TRV和也被称为存储时间。 IGBT的开关速度比MOSFET的低，但它比GTR显著高。 IGBT关断不需要门负压，减少停机时间，但关机时间与栅极和发射极并联电阻增大。导通IGBT的电压约为3〜4V，这相当于MOSFET。当IGBT的饱和电压比MOSFET和GTR的下部和接近饱和电压降低与栅极电压的增加。 
       正式商用IGBT功率模块的电压和电流的能力有限，远远不能满足电力电子技术应用发展的需要;对于许多应用高压区，设备10kV以上电压等级。目前，只能通过高压IGBT功率模块系列技术来实现高电压应用。国外的一些厂商如通过制定原则8KV IGBT器件的软穿由ABB，瑞士，德国EUPEC生产6500V / 600A高电压和大功率IGBT功率模块已获得实际应用，东芝，日本也已经涉足的领域。与此同时，各大半导体厂商不断开发IGBT的高电压，大电流，高速，低饱和压降，高可靠性，低成本的技术，主要由小于1微米的生产工艺，开发了一些新的进展已经取得进展。 2013年9月12号我们自主研发的高电压和高功率3300V / 50A IGBT的发展（绝缘栅双极型晶体管）芯片，因此芯片封装的高功率1200A / 3300V IGBT模块由专家，因为中国拥有完全自主的IGBT的功率模块
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