1 过电压失效
1.1栅极过压
IGBT的栅极-发射极驱动电压的保证值为正负20v，如果在它栅极和发射极之间加上超过保证值的电压，很有可能损坏IGBT模块，另外，如IGBT的栅极与发射极间开路，然而在集电极与发射极之间加上电压的话，就有可能随着集电极电极电位的变化而变化，由于栅极与集电极和发射极之间寄生电容的存在栅极电位升高，集电极-发射极有电流流过。这个时候集电极和发射极之间处于高压状态，可能会导致IGBT发热从而损坏。
1. 2 集电极-发射极过电压
在IGBT集电极中-发射极电压的产生主要有两种情况，一是施加到IGBT的集电极-发射极间的直流电压过高，另一种是集电极-发射极间的浪涌电压过高。所以在使用过程中还是要综合考虑，看那个更适合。
1.3 杂散电感过电压
因为电路中杂散电感的存在，而IGBT的开关频率较高，当IGBT关断时与开通时，就会产生很大的电压，威胁到IGBT的**如图1-1所示出了IGBT的杂散电感和杂散电容。IGBT的外部电感L主要是指IGBT直流侧电感，可算得L对加在IGBT集射电压的影响为：
IGBT杂散电感和杂散电容的示意图
其中Ud为直流电压电容，di/dt为IGBT的电流变化率。
杂散电感L产生的电压叠加在Ud上，IGBT内部是集成电路芯片，耐压能力非常有限，如L产生的电压较大，超出IGBT的集电极-发射极间耐压值Uces，产生的过电压能轻易地将IGBT击穿。图1-2为IGBT的过电压波形示意图。
IGBT过电压示意图形
IGBT在关断时，由于电路中存在电感，关断瞬间产生尖峰电压，假如电压超过额器件的*高的峰值电压，将可能造成IGBT击穿。
2 静电损伤
严格来说，器件静电损伤也属于过电压应力损伤，静电型过电应力的特点是：电压较高，能力较小，瞬间电流较大，但持续的时间极短，与一般的过电应力相比，静电型损伤经常发生在器件运输、传送、安装等非加电过程，它对器件的损伤过程是不知不觉的，危害性很大。从静电对器件损伤后的失效模式来看，不仅有PN结劣化击穿、表面击穿等高压小电流型的失效模式，也有金属化、多晶硅烧毁等大电流失效模式。
3 过热损伤
过热损坏一般是指使用IGBT的结温Tj超过晶片的*大温度限定，目前的IGBT器件还是以Tmax=150℃的NPT技术为主流的，为此在IGBT应用中其结温应限制在该值一下。
4 过电流
4.1 擎住效应
由于IGBT是复合器件，其体内存在一个寄生晶闸管，在NPN管的基极和发射极之间存在一个体驱短路电阻R，在规定的漏极电流范围内，P型体区的横向空穴流会产生一定的压降，对J3结而言相对于一个正偏置电压。在规定的漏记电流范围内，NPN晶体管的正编压不足以使NPN和PNP管处于饱和状态，于是寄生晶闸管开通，栅极失去控制作用，便发生了锁定效应，它使集电极电流Ic增大，进而造成过高的功耗而导致IGBT器件的损坏。
4.2 长时间过流运行
IGBT长时间过流运行是指IGBT的运行指标达到或超过反向偏置运行**工作区所限定的电流**边界，这导致IGBT因为长时间过电流而发热损坏。
4.3 短路
IGBT所承受的电流值达到或超过短路**工作区所限定的*大边界，如4-5倍额定电流时须在10us之内关断IGBT。如果此时IGBT所承受的*大电压也超过器件标称值，IGBT必须在更短时间内被关断。
IGBT的短路主要有两种:
1.
IGBT从断态直接进入短路状态。在短路开始时，集电极和发射极之间的电压是直流母线电压。在集电极电流上升过程中，由于短路寄生电感上的电压，集电极=发射极有微小的减少。当集电极电流达到稳态时，集电极-发射极又等于直流母线电压，因此，集电极=发射极电压在整个短路期间都很大，相当于直流母线电压。
2.
IGBT从正常导通状态进入短路，由于短路的电流迅速上升，IGBT退出饱和状态。集电极-发射极的上升产生流过米勒电容Cge的电流Igc，这个电流在关断电阻上产生压降，导致IGBT的栅极电压在短路瞬间升高，使短路电流在栅极电压回落到正常值之前出现很大的尖峰。
原文地址：IGBT失效时参数变化规律：http://www.igbt118.net/shopstyle/articleinfo/4073938.html