1：436nm g-line
可以满足0.8-0.35 微米制程芯片的生产，对应设备有接触式和接近式光刻机。
2：365nm i-line
同样可以满足0.8~0.35微米制程芯片的生产。设备于上相同。
早期的光刻机采用接触式光刻，即掩模贴在硅片上进行光刻，容易产生污染，且掩模寿命较短。此后的接近式光刻机对接触式光刻机进行了改良， 通过气垫在掩模和硅片间产生细小空隙，掩模与硅片不再直接接触，但受气垫影响，成像的精度不高。
3：248nm KrF
工艺节点提升至350~180nm水平，在光刻工艺上也采用了扫描投影式光刻，即现在光刻机通用的，光源通过掩模， 经光学镜头调整和补偿后， 以扫描的方式在硅片上实现曝光。
4：193nm ArF
制程提升至65nm的水平。四代光刻机是目前使用广的光刻机，也是具有代表性的一代光刻机。
5：13.5nm EUV