1 引言
随着软穿通igbt技术的引入，产生了igbt设计上和特性上的新标准，特别适用于中等功率的市场。将传统的npt（非穿通型）igbt的高强度和低损耗两个特点相结合，已经使spt-igbt成为1200v-1700v电压范围的标准产品。为了充分利用spt-igbt这一技术特性，1200v-1700vlopak模块的范围扩展至额定电流75a-300a。
现在，因为额定电流为2400a的新一代大功率工业标准模块的封装尺寸增加了140×130（e1），140×190（e2），1700v-sptigbt的封装类型得到了扩展，图1为新型号1700v-spt igbt的e2标准封装。基于高可靠性应用的经验，设计出了适用于工业牵引应用的新的封装类型。
与已经应用的1700v标准模块相比，主要损耗减少了大约20%。除了极低的静态和动态损耗外，1700v-sptigbt表现为明显的正温度系数。这一特点适用于并联工作状态，尤其适合如e1/e2类型这样的大电流模块。尽管sptigbt的损耗较低，但它的短路电流和开关强度均较大，而且，独特的软穿通结构的电磁干扰很小。spt技术发展的同时，新的软快速恢复二极管也被开发用于辅助spt的特性。新的二极管在任意条件工作时，表现出软恢复和极耐用的的特性。因为并联使用，二极管也要求正的温度系数。
2 1700v的芯片组技术
如图2所示，文献［1，2］中证明，标准的平面工艺与软穿通概念的结合可得到性能更好的igbt，它比npt结构的损耗更低，约小20%。spt技术的通态损耗与使用沟道工艺的相同额定电流元件的通态损耗相似。因为工艺技术很成熟，为使单位面积上的成本更低，选用了平面设计。与平面单元的概念相结合，可以使得热阻更小，耐用性更强。
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