压阻式压力控制器的结构，主要A徽t元件(俗称硅杯)和壳体两大部分:其钊造工艺可归纳为下面两大过程。矛采用集成电路方法在硅片上扩散感斯硕电桥的4个电限，而在其反面fff蚀一定的杯孔。将硅杯通过静电封接、低湃玻璃烧结等工艺组成传典器.并进行性能参教测试。
(1)硅怀的制造—选择合适电阻率的单晶硅进行定向切侧、双面磨拍，加1成一定形状与一穿厚空的衬底基片。随后采用澳成电路工艺方祛对硅片进**化.在硅片上进行光刻.侧出电阻条w形.再川扩散法或离子注人法制成电at条.此后在硅片上热铝光刻铝.刻出硅杯图形，进行硅杯腐蚀.制成硅杯压阻芯片。
(2)封装工艺—先进行性能侧试并选取合格芯片，采用静电封装与低沮玻瑞烧结将硅杯组装在壳体上，然后压焊与调零补偿.*后对传感器A面进行保护处理。以这种到长方法取代传统的有机玻响钻结.可有效地减少传感器的确变与A后.而且静电封装工艺是将金属‘或半导休)和玻璃加热至玻璃软化点以下，同时加以高电压，使两者在相互滚密接合处产生睁电力作用.形成气宫性封接.
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