本应用中用到ADuC7061的特性如下：
1.内置可编程增益放大器（PGA）的24位Σ-Δ型主ADC:PGA的增益在本应用的软件中设置为32。
2.可编程激励电流源，用来强制受控电流流经RTD：双通道电流源可在0 μA至2 mA范围内以200 μA步进配置，本例设置为200 μA。
3.ADuC7061中ADC的外部基准电压源：对于本应用，我们采用比率式设置，将一个外部基准电阻（RREF）连接在外部VREF+ 和VREF- 引脚上。或者，也可以在ADuC7061中提供1.2 V内部基准电压源。
4.ARM7TDMI内核：功能强大的16/32位ARM7内核集成了32 kB闪存和SRAM存储器，用来运行用户代码，可配置并控制ADC,通过RTD处理ADC转换，以及控制UART/USB接口的通信。
5.UART: UART用作与PC主机的通信接口。
6.两个外部开关用来强制该器件进入闪存引导模式：使S1处于低电平，同时切换S2,ADuC7061将进入引导模式，而不是正常的用户模式。在引导模式下，通过UART接口可以对内部闪存重新编程。
本电路使用的RTD为100 Ω铂RTD,型号为Enercorp PCS 1.1503.1.它采用0805表贴封装，温度变化率为0.385 Ω/°C。
注意，基准电阻RREF应为精密5.62 kΩ （±0.1%）电阻。
ADuC7061的USB接口通过FT232R UART转USB收发器实现，它将USB信号直接转换为UART。除下图所示的去耦外，USB电缆本身还应采用铁氧体磁珠来增强EMI/RFI保护功能。本电路所用铁氧体磁珠为Taiyo Yuden #BK2125HS102-T,它在100 MHz时的阻抗为1000 Ω。
本电路必须构建在具有较大面积接地层的多层电路板上。为实现*佳性能，必须采用适当的布局、接地和去耦技术。
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