全新的600V和1200V第三代高速IGBT系列经过优化，适用于硬开关和软开关拓扑。该系列树立了行业开关损耗新标杆，可应用于开关频率超过20kHz的拓扑。

极短的拖尾电流和低关断损耗（比*接近的竞争产品低25%）是这种新产品系列的主要特性。利用该系列的器件设计产品，*高可使能效提高15%。

该系列不仅具备很低的开关损耗，还拥有极低的通态损耗。这主要归功于英飞凌全球知名的TRENCHSTOP TM 技术——本身具备极低的集电极-发射极饱和电压。

特性：
• *低的开关损耗使开关频率达到20kHz以上的应用具备较高的能效
• 软开关波形带来出色的抗EMI性能
• 低集电极-发射极饱和电压带来低通态损耗
• 适用于目标应用的优化二极管具备低二极管损耗和快速恢复时间
• 符合RoHS
• 正集电极-发射极温度系数意味着热损失不是问题和轻松实现并联
• 5微秒的短路额定值

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基于IGBT和反并二极管位于单芯片的新技术，新一代IGBT能有效优化解决方案的成本
特性：
• 具备*低的集电极-发射极饱和电压和Vf确保了高效能和高品质要求
• 软电流关断优势
• *低的开关损耗

优势：
• 降低总体系统成本
• *低的功耗
• 低散热要求
• 降低EMI滤波要求
• *佳的性价比

**的产品覆盖：600V、900V、1000V、1200V和1600V。

目标应用：包括电磁炉、电饭煲、变频式微波炉和所有其他软开关应用
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