单向可控硅TYN100C TYN100C

单向可控硅TYN100C,电流100A,耐压1600V-1800V,单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。

单向可控硅TYN100C
复合开关是用于控制电容器投切的器件。将可控硅与继电器接点并联使用，由可控硅实现电压过零投入与电流过零切除，由机械接点来通过连续电流，这样就避免了可控硅的导通损耗问题，也避免了电容器投入时的涌流。由于既使用了电力电子器件又使用了机械接点，因此称为复合开关。复合开关以其电容器无涌流投入与电流过零切除的特点，获得了广泛的应用。
单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。
RexST
(单向可控硅):
TYN160C 160A 1600V TO-3封装
TYN130C 130A 1800V TO-247
TYN100C 100A 1800V/1600VTO-247封装
TYN70C 70A 1800V/1600VTO-247封装
TYN60H 60A 2200V TO-247封装
TYN50C 50A 1600V TO-247
TYN25C 25A 1600V/1200V TO-220封装
(双向可控硅):
BTA91 1600V
BTA81 1600V
BTA71 1600V
BTA61 1600V/1200V/800V TOP3绝缘封装
BTA51 1600V/1200V/800V TOP3绝缘封装
BTA41 1600V/1200V/800V TOP3绝缘封装
BTA26 1600V TOP3绝缘封装
BTA16 1600V/1200V TO-220
(肖特基二极管)
SBR20C  20A  200V TO-220
SBR30C  30A  200V TO-247
SBR40C  40A  200V TO-247
SBR60C  60A  200V TO-247
SBR100C 100A 200V TO-247
(超快恢复二极管）
HFDXI-01H  1A  1200V Trr=30ns TO-220
HFDXI-03H  3A  1200V Trr=30ns TO-220
HFDXI-08H  8A  1200V Trr=30ns TO-220
HFDXI-12H  12A 1200V Trr=30ns TO-220
SFDXI-20C  20A 600V Trr=25ns TO-220
SFDXI-30C  30A 600V Trr=25ns TO-220
SFDXI-50C  50A 600V Trr=25ns TO-247
(快恢复二极管)
FDXI-50H 50A 4500V
FDXI-20 20A 600V 恢复时间70ns TO-220
FDXI-50 50A 600V 恢复时间70ns TO-247
FDXI-80 80A 600V 恢复时间70ns TO-247
(整流二极管)
DXI-30 30A 1600V/1200V/800V TO-220封装
DXI-50 50A 1600V/1200V/800V TO-247/TOP3封装
DXI-80 80A 1600V/1200V/800V TO-247/TOP3封装
单向可控硅TYN100C
单向可控硅TYN100C
单向可控硅TYN100C
单向可控硅TYN100C