形式 | IR-FAI | IR-FAS |
测定方式 | 单色形 |
检出元件 | InGaAS | Si |
测定波长 | 1.55μm | 0.9μm |
精度 | 1000℃未满:±5℃ 1000℃以上1500℃未满:测定值的:±0.5% 1500℃以上2000℃未满:测定值的:±1% 2000℃以上:测定值的±2% |
重复性 | 0.2℃ |
温度漂移 | 0.1℃或测定值的0.015%/℃中大的值 |
分辨率 | 0.5℃ |
响应时间 | 0.01s |
辐射率修正 | 辐射率设定值:1.999~0.050 |
信号调制 | DELAY:平均值(平滑度)(调制度0.0-99.9s、0.1s/步 任意设定)、调制度0=REAL、 PEAK:*高值(调制度0、2、5、10℃/s 选择设定)、 调制度0=(峰值保持) |
显示方式 | LCD 4位(温度显示部、参数显示部)、℃/°F操作键切换 |
模拟输出 | 4-20mA DC隔离输出(负载阻抗500Ω以下) 精度:输出范围的±0.2% 输出分辨率:输出范围的0.01% 输出刻度:测定温度范围内可任意设定 模拟输出:模拟输出的0-100%范围内可任意设定 |
接点输出 | 1点、上限(下限)报警或出错信号。光耦合器30V DC、*大0.2A |
接点输入 | 1点、峰值保持复位或采样保持。 |
用操作键并列设定 | 操作员方式:辐射率的设定、信号调制、报警等的设定 工程方式:显示单位(oC、F).输出量程 选件功能的设定 |
运算机能 | 零、满度调整、辐射率自动运算、输出修正 |
自己诊断 | 机器温度异常、参数出错 |
选件 | 激光投光功能 | 表内半导体投光器、激光1mW以下(645nm)2级 (高灵敏度形表内不设激光投光) |
模拟输入 | 输入信号:4~20mA 辐射率的远隔设定或自动辐射率运算的基准温度输入设定选择 |
通信接口 | RS-485 测定数据(小数点以下1位)的传送、各设定参数传送及接收 |
使用温度范围 | 0~50℃ |
许容振动 | 3G以下 |
电源 | 24V DC(容许电压变动范围22~28V DC)、600mA、推荐电源单元IR-ZFEP |
功耗 | *大3VA |
连接方式 | 无螺钉、压紧式端子连接 |
安装方式 | DIN导轨安装或褂壁安装 |
外壳材质 | 树脂制 |
外形尺寸重量 | W90×H90×D60mm、约250g(仅本体部) |
符合CE规定 | 符合CE规定(EMC指令:EN5501 Group 1 Class A、 EN50082-2) |
标准附属品 | 十字槽螺丝刀使用说明书 |