这种新型磁开关由多维科技的TMR技术(隧道磁阻)支持，是包括接近开关、速度传感器和位置传感器的多种高性能工业类应用的*佳选择。TMR技术在磁盘驱动器行业中已经被证实是一种高性能、经济有效、低功耗、且具有高可靠性的技术。MDT是**个在其多个产品系列中提供TMR技术所有优势的批量供应商。这些产品系列包括TMR磁开关传感器、TMR磁场传感器和TMR磁角度传感器。
多维科技董事长兼**执行官薛松生博士表示：“MDT的新型TMR磁开关传感器为智能流量计带来快速的测量、更长的电池寿命以及持续可靠的运行。我们全心致力于将TMR技术的优势带到磁传感器市场，并通过推出产品和解决方案帮助我们的客户取得成功。”
MMS103H和MMS105H磁开关传感器具有高达100kHz的频率响应，而电源电流可低至5微安。区别于必须采用间歇供电或休眠模式来减少功耗的同类产品，MDT的磁开关传感器可以在持续运行状态下实现低功耗。
重要特点
●具有CMOS数字锁存输出的双极型TMR磁开关传感器
●工作点和释放点分别为 /-30高斯(MMS103H)和 /-50高斯(MMS105H)
●频率响应高达100kHz的高速磁场测量
●在3V电压供电时低至5微安的功耗
●持续运行以保证可靠测量
●在-40到125摄氏度区间展现出**的温度稳定性
●TMR磁传感器和信号处理ASIC集成于小型的SOT-23或TO-92封装
薛博士称，MDT的TMR技术涵盖了AMR(各向异性磁阻)、GMR(巨磁阻)、霍尔效应和干簧管等现有磁传感器技术的主要优点，并克服了这些技术的重要局限性。因此，MDT的TMR磁传感器将高频响、低功耗、高灵敏度、宽测量间隙、耐用性与持久性独特地结合于一身。
公安机关备案号：
