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晶体管

16 2013年09月10日  星期二  

大功率IGBT模块PCB抄板及芯片解密研究分析

中国行业研究网

　　我国大功率IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块产品实现国产化啦!这不仅打破了我国在**IGBT模块长期依赖进口的局面，而且还是国内**个反向**基础上真正具有完全自主知识产权的高压大功率电力电子核心器件。为了发展我国的IGBT模块，深圳联邦科技反向技术研究中心早就实施在国际**科技攻关成果的基础上，进行了系列化IGBT模块PCB抄板及板上芯片解密研究，并在吸收了国内外同类产品技术优点的基础上反向**设计，二次开发升级产品。IGBT模块重要应用及项目微**IGBT作为自动控制和功率变换的关键核心部件，能够有效提高用电效率和用电质量，节能达30%以上，被广泛应用于智能电网、电动汽车、新能源发电、工业控制领域。而且在高速动车组、大功率电力机车上，大功率IGBT模块都是必备的要件。今年，联邦科技公司()在电力设备、汽车电子、工控设备及高铁组件等PCB抄板领域都有众多项目在开发中，其中大功率IGBT模块就是其重点攻关研究对象。通过IGBT关键备件的PCB抄板反向**，我司在整体项目开发的微**中取得了优异的成绩。实现大功率IGBT抄板与反向设计PCB抄板又叫电路板抄板，它是伴随着反向工程在国内

功率器件需求趋紧各厂商全速扩充产能

中国行业研究网

　　自新型功率MOSFET、IGBT器件问世以来，借助对新结构、新技术的研究，通过缓解MOSFET、IGBT类器件在关态击穿与开态导通之间的矛盾，使得这类产品能够有效地满足实际工程对高速、高击穿电压、高可靠性方面的要求。伴随着制造技术进入到深亚微米时代，以SiC、GaN为代表的第三代功率器件正走向成熟，包含功率器件、功率集成电路、BCD工艺在内的功率半导体技术正朝着高温、高频、低功耗、高功率容量，以及智能化、系统化、高度集成方向发展。ICInsights*新的调查报告显示，全球分立式功率晶体管市场在2012年受到整体经济形势的影响出现大幅下滑之后，2013年正在此基础上强势反弹，预计今年全球功率晶体管市场的销售额将增加7%，达到132亿美元的规模，至2017年，全球分立式功率晶体管市场的营收将每年以8.5%左右的速度成长。功率器件市场之所以能够重新步入高速发展的轨道，主要是由于在节能减排、绿色环保的新产业政策下，迫切要求对能源的利用率实现进一步的提升，功率器件作为提高能源转换效率的关键部件，将在当中发挥重要的作用。2013年大部分功率器件厂商的出货量均比去年同期出现了大幅的增长，这一势

电源管理芯片市场下半年或入同比持续增长

工控网

相对于2012年的黯淡市况，电源管理芯片市场将会出现自2011年初以来*快的增长速度，IHS公司认为，无线和工业市场将表现强劲，预计足以维持整个下半年增长。电源管理是指如何将电源有效分配给系统的不同组件。电源管理对于依赖电池电源的移动式设备至关重要。通过降低组件闲置时的能耗，**的电源管理系统能够将电池寿命延长两倍或三倍。电源管理技术也称做电源控制技术，它属于电力电子技术的范畴，是集电力变换，现代电子，网络组建，自动控制等多学科于一体的边缘交叉技术，现今已经广泛应用到工业，能源，交通，信息，航空，国防，教育，文化等诸多领域。现在全球知名电源管理芯片大厂，如飞兆，德州仪器，安森美，微芯，恩智浦，在各种设备商亟需寻求更高性能与稳定性、**性的电源产品与技术解决方案的商机与挑战前，纷纷使出浑身解数，或整合优化产品线，或并购完善产品与技术组合，或加强研发投入，或强化市场营销...电源市场依旧风云变幻，新生事物驱动着半导体技术与市场电子产业大轮不断滚动前行。2013年**季度电源管理半导体市场将取得两年来的*快增长，营业收入达75.6亿美元，比**季度的70.9亿美元增长6.6%。**季度增长率

中国半导体产业未来应该如何发展探讨分析

中国行业研究网

　　“工艺是基础，设计是龙头。工艺研发模式、产品设计思路都将发生根本性变化，设计必须与工艺紧密结合。”日前在上海举行的“第六届中国IC设计公司成就奖”颁奖典礼上，中国半导体行业协会IC设计分会理事长魏少军教授在题为“对中国半导体行业再上台阶的思考”的演讲中指出，他根据半导体产业链各发展态势的预测和对技术市场的思考做出了上述判断。——“工艺技术正在走向后摩尔时代，主流器件结构将发生根本变化，平面体硅CMOS工艺走向尽头，FinFET和FDSOI等新器件将引发一系列变化，包括产品的形态及产业环境等。工艺的高度复杂和不可预见因素及代工厂支持能力的下降，将重塑代工厂和设计企业之间的关系。”魏少军指出了半导体行业正在发生的几个发展趋势，首先是器件结构发生根本变化。目前研发和关注度*为广泛的FinFET技术*早由UCBerkeley的华人科学家胡正明教授发明。本世纪初，在担任台积电CTO期间曾向公司提出发展FinFET的设想，但没有得到重视。随后英特尔公司接受了这一建议并投入巨资研发。“2011年英特尔宣布推出22nm的FinFET技术，并预测到2012年Q4其出货中有25%的产品采用FinFET

安川电机陶瓷行业变频技术应用推广会(佛山场)将于9月盛大开幕

弗戈工业在线

于1915年创立的日本安川电机作为电机驱动领域的先锋安川電机，将多项世界**的革新技术应用到变频器，推动新技术的产品化并一直**着行业的发展。自1974年发布世界上首款晶体管变频器，全球累计销售已经突破1400万台。安川变频器的品质・性能・功能得到全世界用户的认可，并稳居世界首位的宝座。安川变频器凭借着产品的优异性能、可靠稳定的品质，在陶瓷行业中受到了越来越多的青睐。同时安川电机也不断的将陶瓷行业中所积累到的经验运用在产品中，为陶瓷机械的高效率、稳定运行而不懈的贡献着。此次变频技术应用推广会期间安川电机将为各位介绍活跃在陶瓷行业的1000系列变频器，以及对应陶瓷行业特殊要求所开发的变频器功能、解决方案。同时也期待能与各位就陶瓷行业对变频器更多的要求以及使用中所遇到的情况进行探讨。为了让我们向您提供更适合您的产品，期待您的莅临参会!召开时间：2013年9月25日、上午9:00-12:00召开地点：佛山皇冠假日酒店(原佛山宾馆)明晖楼三楼清风阁联系人：董先生联系电话：021-53852200分机301

以下是3912天前的记录

晶体管

17 2013年08月30日  星期五  

功率器件供应趋紧各厂商全速扩充产能

工业电器网

自新型功率MOSFET、IGBT器件问世以来，借助对新结构、新技术的研究，通过缓解MOSFET、IGBT类器件在关态击穿与开态导通之间的矛盾，使得这类产品能够有效地满足实际工程对高速、高击穿电压、高可靠性方面的要求。伴随着制造技术进入到深亚微米时代，以SiC、GaN为代表的第三代功率器件正走向成熟，包含功率器件、功率集成电路、BCD工艺在内的功率半导体技术正朝着高温、高频、低功耗、高功率容量，以及智能化、系统化、高度集成方向发展。 根据IC Insights*新的调查报告，全球分立式功率晶体管市场在2012年受到整体经济形势的影响出现大幅下滑之后，2013年正在此基础上强势反弹，预计今年全球功率晶体管市场的销售额将增加7%，达到132亿美元的规模，至2017年，全球分立式功率晶体管市场的营收将每年以8.5%左右的速度成长。功率器件市场之所以能够重新步入高速发展的轨道，主要是由于在节能减排、绿色环保的新产业政策下，迫切要求对能源的利用率实现进一步的提升，功率器件作为提高能源转换效率的关键部件，将在当中发挥重要的作用。 从本刊采访所接触的厂商中了解到，2013年大部分功率器件厂商的出货量均

变频器如是问电力君你懂我多少？

工业电器网

百科说：变频器（Variable-frequency Drive，VFD）是应用变频技术与微电子技术，通过改变电机工作电、滤波、逆变（直流变交流）、制动单元、驱动单元、检测单元微处理单元等组成。 通常说，把电压和频率固定不变的交流电变换为电压或频率可变的交流电的装置称作“变频器”。 首先要把三相或单相交流电变换为直流电（DC）。然后再把直流电（DC）变换为三相或单相交流电（AC）。也就是说变频器可以使电机以较小的启动电流，获得较大的启动转矩，即变频器可以启动重载负荷。 大家都知道，变频器是用来省电的。它虽然价格昂贵，但性整流单元、高容量电容、逆变器和控制器。 整流单元：将工作频率固定的交流电转换为直流电。 高容量电容：存储转换后的电由大功率开关晶体管阵列组成电子开关，将直流电转化成不同频率、宽度、幅度的方波。 控制器：按设定的程序工作，控制输出方波的幅度与脉宽，使叠加为近似正弦波的交流电，驱动交流电动机。 变频器的工作原理 变频器的主电路大体上可分为两类:电压型是将电压先把交流电，通过整流电流，变成直流电，再把直流电通过逆变电路，变成我们所需要的、电机可以接受的交流电，从而达到了变频、

中国变频器市场缺口很大国产品牌份额较小

慧聪变频器网

变频器可使电机系统节电率达30%左右，甚至40%～60%.未来几年中低压变频器需求将保持20%以上的增速，高压变频器行业保持40%以上的增速。绝缘栅双极晶体管（IGBT）是变频器的核心部件，目前国内IGBT市场仍主要由外资企业所把控，拥有技术优势的企业有望率先实现进口替代。华微电子已实现IGBT的批量生产，成为国内**家突破IGBT芯片制造的上市公司；台基股份为国内大功率半导体器件龙头企业，正在研发IGBT封装技术。 中国变频器市场目前正处于一个高速增长的时期，在纺织机械、空调、电梯、冶金等行业得到广泛应用。在过去的几年内中国变频器的市场保持着较高增长率。据测算，按照中国市场的需求计算，至少在10年以后市场才能饱和并逐渐成熟。因此，中国变频器市场具有广阔的发展空间。从市场格局来看，我国市场上的国产品牌市场份额仅占20%至25%.虽然国内变频器有英威腾、汇川技术等，但与国外知名品牌相比，还存在较大差距，国产品牌进口替代空间巨大。 从行业内公司增长情况来看，其上半年均实现了较好的增长。这也是机构在半年报后密集调研的重要原因。有分析人士指出，上半年以来我国宏观经济偏向弱势，尽管如此，但从近期

我国变频器市场缺口大国产品牌份额小

工业电器网

变频器可使电机系统节电率达30%左右，甚至40%～60%.未来几年中低压变频器需求将保持20%以上的增速，高压变频器行业保持40%以上的增速。 绝缘栅双极晶体管（IGBT）是变频器的核心部件，目前国内IGBT市场仍主要由外资企业所把控，拥有技术优势的企业有望率先实现进口替代。华微电子已实现IGBT的批量生产，成为国内**家突破IGBT芯片制造的上市公司；台基股份为国内大功率半导体器件龙头企业，正在研发IGBT封装技术。 中国变频器市场目前正处于一个高速增长的时期，在纺织机械、空调、电梯、冶金等行业得到广泛应用。在过去的几年内中国变频器的市场保持着较高增长率。 据测算，按照中国市场的需求计算，至少在10年以后市场才能饱和并逐渐成熟。因此，中国变频器市场具有广阔的发展空间。从市场格局来看，我国市场上的国产品牌市场份额仅占20%至25%.虽然国内变频器有英威腾、汇川技术等，但与国外知名品牌相比，还存在较大差距，国产品牌进口替代空间巨大。 从行业内公司增长情况来看，其上半年均实现了较好的增长。这也是机构在半年报后密集调研的重要原因。有分析人士指出，上半年以来我国宏观经济偏向弱势，尽管如此，但从

中国发明新晶体管,提高国际芯片制造话语权

eefocus

在美国《科学》杂志刊登一个报告中，中国研究人员在成电路的基本单元晶体管研究上取得突破，发明了一种名为半浮栅晶体管的“国集成电路产业主要依靠引进和吸收国外成熟的技术，在微电子核心器件及集成工艺上缺乏核心技术。半浮栅晶体管的成功研制将有助我国掌握集成电路的核心技术，从而在芯片设计与制造上逐渐获得更多话语权。”根据王鹏飞教授介绍，金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)是目前集成电路中的主流器件，过去几年的工艺进步，让晶体管的尺寸不断的缩小，越来越接近物理极限，这样才迫切需求并催生出新的结构和原理的晶体管，半浮栅晶体管是在MOSFET晶体管中内嵌一个广泛用于低功耗电路的装置——隧穿场效应晶体管(TFET)制成。它的优势在于体积可更小，结构更简单，读写速度更快，且一片这样的晶体管的功效可比得上多块MOSFET晶体管。

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