宽禁带半导体是****和节能产业的核心：相比于Si和GaAs材料，以GaN、SiC为代表的宽禁带半导体凭借击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等特点，能够大幅提升电子器件的高压、高频、高功率工作性能，在**、新能源、电动汽车等领域应用前景巨大。
LED之外，宽禁带半导体功率器件开始崭露头角：目前GaN和SiC*大的应用领域为LED行业，形成了100亿美元的市场;除此之外，近两年在微波功率器件和电力电子器件领域开始走向商业化，我们认为未来两年GaN和SiC功率器件市场将开始快速发展，潜在市场容量超过300亿美元，未来将在**设备、光伏逆变器、电动汽车等领域开始逐步替代Si和GaAs功率器件。
GaN是微波器件的**，在**领域将大展拳脚：GaN适用于高频大功率应用，是微波器件*为理想的材料，其功率密度是现有GaAs器件的10倍，将成为下一代雷达技术的标准，美军干扰机和“宙斯盾”驱逐舰的相控阵雷达开始换装GaN产品，**市场将在未来几年推动GaN微波器件的快速发展。
电力电子领域宽禁带半导体能够降低50%的电力损耗，SiC适用于1200V以上高压应用，GaN适用于中低压高频应用：SiC单晶制备工艺相对成熟，同质外延易于制备纵向结构的器件提高耐压性能，商业化的SiC器件耐压在600~1200V，适用于风力发电、铁路机车、电网等大功率应用。
GaN异质外延缺陷密度较大，目前只能制备横向结构的器件，耐压性能提升较为困难，但是GaN-on-Si成本较低，加之LED行业存在大量MOCVD外延设备可以共用，未来有望快速降低成本，广泛应用于UPS、光伏逆变器、电动汽车等领域。
民用领域商业化加速，国内企业开始切入：2013PCIM和ICSCRM数家企业推出6寸SiC晶圆、SiC功率器件和600VGaN功率器件产品，2014年开始都将步入量产阶段，显示出SiC和GaN功率器件在民用市场的商业化进程开始加速，而国内企业也开始切入这一领域;SiC的难点在于单晶制备，国内从事SiC晶圆生产的主要包括山东天岳和天富热电，山东天岳已开始对外销售2~4英寸SiC晶圆，6寸晶圆将于2015年开始量产。
GaN的难点在于外延生长，LED龙头三安光电已经完成GaNHEMT功率器件的试制，进入样品测试阶段。GaN功率元器件的外延制程同LED相近，并且对外延品质要求更高，我们认为LED芯片龙头企业如三安光电、德豪润达等凭借在LED外延方面的技术**，未来在GaN功率器件领域也将占得一席之地，打开新的利润增长空间。
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