常州杜安进出口有限公司
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肖特基
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产品名称/型号
产品简单介绍
高压肖特基二极管
5A/1200V
碳化硅 (SiC) 功率器件市场**者科锐日前宣布推出一新型产品系列。该系列产品由七款1200V Z-Rec™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管组成,不仅优化了价格和性能,还可提供多种额定电流和封装选择。通过推出种类齐全的碳化硅二极管产品系列,科锐不断将碳化硅功率器件向主流功率应用中推广。高压肖特基二极管
高压肖特基
10A/1200V
这些碳化硅肖特基二极管可以实现全碳化硅功率电子线路的运行,其运行的开关频率较传统硅二极管和 IGBT 可高出四倍。不仅可以缩小逆变器应用电路的尺寸,降低逆变器电路的复杂程度和成本,还能达到极高的系统效率。与上一代碳化硅肖特基二极管相比,该系列产品的优势在于具���更高的浪涌额定值和电子雪崩性能,可以帮助提高系统整体的可靠性。高压肖特基
肖特基二极管
10A600V
这些碳化硅肖特基二极管可以实现全碳化硅功率电子线路的运行,其运行的开关频率较传统硅二极管和 IGBT 可高出四倍。不仅可以缩小逆变器应用电路的尺寸,降低逆变器电路的复杂程度和成本,还能达到极高的系统效率。与上一代碳化硅肖特基二极管相比,该系列产品的优势在于具有更高的浪涌额定值和电子雪崩性能,可以帮助提高系统整体的可靠性。肖特基二极管
肖特基
20A/1200V
与同类硅二极管相比,开关损耗可锐减 50%。该产品在运行温度范围内具有高度一致的开关性能,可以简化电路设计并能省去复杂的散热器系统设计。在与科锐近期推出的1200V碳化硅功率 MOSFET配合使用时,这些碳化硅肖特基二极管可以实现全碳化硅功率电子线路的运行,其运行的开关频率较传统硅二极管和 IGBT 可高出四倍。不仅可以缩小逆变器应用电路的尺寸,降低逆变器电路的复杂程度和成本,还能达到极高的系统效
200V肖特基二极管
SBD20C
SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流,在非常高的频率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于检波和混频,在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD,像SBDTTL集成电路早已成为TTL电路的主流,在高速计算机中被广泛采用。 200V肖特基二极管
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