常州杜安进出口有限公司
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2007-12-25
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IGBT
产品图片
产品名称/型号
产品简单介绍
300A IGBT Module
2MG300B12STD
2MG300B12STD it is 300A IGBT Module with VCES=1200V
200A IGBT Module
2MG200B12STD
2MG200B12STD is 200A IGBT Module ,which is VCES=1200V,we also have 600V/1200V/1700V IGBT Module
150A IGBT Module
2MG150B12STD
2MG150B12STD it is 150A IGBT Module ,the voltage is 1200V,We also have 600V/1200V/1700V IGBT Module
100A IGBT Module
2MG100B12STD
2MG100B12STD (100A/1200V IGBT Module/100A IGBT Module) we also have 600V/1200V/1700V IGBT Module
75A IGBT Module
2MG75B12STD
We have 600V/1200V/1700V IGBT Module,If you have interesting ,please contact us 75A IGBT Module
1200V IGBT Module
2MG200B12STD
75A/100A/150A/200A/300A/400A/600A is our IGBT Module Current ,which are 600V/1200V/1700V.1200V IGBT Module
600V IGBT Module
2MG150N06TCH
Our IGBT Module which is 600V/1200V/1700V,The current is 75A/100A/150A/200A/300A/400A/600A,600V IGBT Module
IGBT Module
2MG150B12STD
We Produce 600V/1200V/1700V IGBT Module,The Current is 75A/100A/150A/200A/300A,If you have interesting ,Please contact us !!
IKW40N120H3
IKW40N120H3
IKW40N120H3IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT
IKW25N120H3
IKW25N120H3
IKW25N120H3IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT
IKW15N120H3
IKW15N120H3
IKW15N120H3 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电��驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小IGBT
IGW60T120
IGW60T120
IGW60T120IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT
IGW25T120
IGW25T120
IGW25T120IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT
IGW40T120
IGW40T120
IGW40T120IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT
IGW25N120H3
IGW25N120H3
IGW25N120H3IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT
IGW40N120H3
IGW40N120H3
IGW40N120H3IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT
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