高能效、低成本IGBT 英飞凌出色的沟槽栅和场终止技术可使饱和电压大大低于竞争对手标准NPT IGBT器件，与此同时不会增加开关损耗。 整个产品组合分为600V和1200V。 目标应用：太阳能逆变器、驱动装置、UPS和其他所有硬开关应用
全新的600V和1200V第三代高速IGBT系列经过优化，适用于硬开关和软开关拓扑。该系列树立了IGBT行业开关损耗新标杆，建议应用于开关频率在20kHz以上的拓扑。
极短的拖尾电流和低关断损耗（比*接近的竞争产品低25%）是这种新产品系列的主要特性。利用该系列的器件设计产品，*高可使能效提高15%。 该系列不仅具备很低的开关损耗，还拥有极低的通态损耗。这主要归功于英飞凌全球知名的TRENCHSTOP TM 技术——本身具备极低的集电极-发射极饱和电压。