全新的600V和1200V第三代高速IGBT系列经过优化，适用于硬开关和软开关拓扑。该系列树立了行业开关损耗新标杆，可应用于开关频率超过20kHz的拓扑。
极短的拖尾电流和低关断损耗（比*接近的竞争产品低25%）是这种新产品系列的主要特性。利用该系列的器件设计产品，*高可使能效提高15%。
该系列不仅具备很低的开关损耗，还拥有极低的通态损耗。这主要归功于英飞凌全球知名的TRENCHSTOP TM 技术——本身具备极低的集电极-发射极饱和电压。
特性： • *低的开关损耗使开关频率达到20kHz以上的应用具备较高的能效 • 软开关波形带来出色的抗EMI性能 • 低集电极-发射极饱和电压带来低通态损耗 • 适用于目标应用的优化二极管具备低二极管损耗和快速恢复时间 • 符合RoHS • 正集电极-发射极温度系数意味着热损失不是问题和轻松实现并联 • 5微秒的短路额定值
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基于IGBT和反并二极管位于单芯片的新技术，新一代IGBT能有效优化解决方案的成本 特性： • 具备*低的集电极-发射极饱和电压和Vf确保了高效能和高品质要求 • 软电流关断优势 • *低的开关损耗
优势： • 降低总体系统成本 • *低的功耗 • 低散热要求 • 降低EMI滤波要求 • *佳的性价比
**的产品覆盖：600V、900V、1000V、1200V和1600V。
目标应用：包括电磁炉、电饭煲、变频式微波炉和所有其他软开关应用 链接： 展示产品组合 下载产品简介
采用英飞凌IGBT逆导（RC）技术和反并联二极管的器件适用于600V硬开关应用，例如逆向风扇、压缩机、洗衣机电机和通用变频器。无论采用IPAK （TO-251）或DPAK （TO-252）封装，在4A、6A、10A和15A电流条件下，TRENCHSTOP™ IGBT都具备成本优势和节约空间特色。
特性： • 降低消费类电子产品成本 • 极低的集电极-发射极饱和电压和V f 使频率高达20kHz的广泛应用的能效 • 软电流关断 • 采用IPAK（TO-251）或DPAK （TO-252）封装，电流等级为4A、6A、10A和15A
优势： • 有效节约空间 • 成本优化 • *低的功耗 • 低散热要求 • 降低的EMI滤波要求
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